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    MOS管偏置電路-MOS管直流、恒流等偏置電路圖文及方程詳解-KIA MOS管

    信息來(lái)源:本站 日期:2018-08-24 

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    MOS管偏置電路
    MOS管直流偏置電路

    MOS管的單電源直流偏置電路有兩種:

    1、只能用于結(jié)型和耗盡型MOS管的自給偏置電路。

    2、可用于各種MOS管的分壓式偏置電路

    自給MOS管偏置電路

    (1)圖解法


    根據(jù)圖中電路的輸出回路列出直流負(fù)載線(xiàn)方程


    再根據(jù)輸入回路列出直流負(fù)載線(xiàn)方程



    (2)計(jì)算法(列方程組求解)


    式中的IDSS和UP可以從特性曲線(xiàn)上求出,或者從產(chǎn)品手冊(cè)上查到。

    自給MOS管偏置電路的缺點(diǎn)是:

    當(dāng)偉提高穩(wěn)定工作點(diǎn)的能力而增大RS時(shí),IDQ減小,(Q下移),使gm和AU隨之減少。

    分壓式偏置電路


    將轉(zhuǎn)移性的近似函數(shù)式與根據(jù)電路列出的直流電壓方程聯(lián)立,就可求解靜態(tài)工作點(diǎn)。



    分壓式自偏壓電路可通過(guò)調(diào)整電阻分壓比來(lái)改善靜態(tài)工作點(diǎn)。

    MOS管高阻抗偏置電路圖及說(shuō)明

    下圖所示為MOS場(chǎng)效應(yīng)管高祖偏置的電路圖。場(chǎng)效應(yīng)管在工作中讓其輸入回路的PN結(jié)工作于反向偏置,以減小輸入電流,提高輸入電阻。MOS場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)改變UGS來(lái)改變柵極下方半導(dǎo)體中的電場(chǎng)強(qiáng)度,控制感應(yīng)電荷的多少,進(jìn)而控制導(dǎo)電溝道的導(dǎo)電能力。

    MOS管恒流偏置電路

    通常,當(dāng)RL?R時(shí),流過(guò)光敏電阻的電流基本不變,此時(shí)的偏置電路稱(chēng)為恒流電路。然而,光敏電阻自身的阻值已經(jīng)很高,再滿(mǎn)足恒流偏置的條件就難以滿(mǎn)足電路輸出阻抗的要求,為此,可引入如下圖所示的晶體管恒流偏置電路。

    穩(wěn)壓管DW將晶體三極管的基極電壓穩(wěn)定,即UB=UW,流過(guò)晶體三極管發(fā)射極的電流Ie為


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