場效應(yīng)管主要參數(shù)是什么？電子元器件主要參數(shù)是什么？
信息來源：本站 日期：2017-07-21
通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。
開啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時(shí)，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。
當(dāng)UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時(shí)，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS＝UP時(shí)，漏極電流為零。
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS型場效應(yīng)管所能輸出的最大電流。
直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時(shí)柵一源極 之間的直流電阻。
結(jié)型場效應(yīng)管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場效應(yīng)管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。
最大漏極功耗PD＝UDSID，相當(dāng)于三極管的PCM。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識別關(guān)注
