MOS管參數(shù)測(cè)試方法詳細(xì)圖文-KIA MOS管

溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管

溝槽式場(chǎng)效應(yīng)管TrenchMOSFET是現(xiàn)在比較常用的金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。因其具有低導(dǎo)通電阻、低柵漏電荷密度的特點(diǎn)，所以功率損耗低、開(kāi)關(guān)速度快。且由于TrenchMOSFET為垂直結(jié)構(gòu)器件，因此可進(jìn)一步提高其溝道密度，減少芯片尺寸，使功率場(chǎng)效應(yīng)管的SMD微型封裝成為現(xiàn)實(shí)。

在手機(jī)電池保護(hù)電路中，常用到兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管共漏極使用的MOSFET，因?yàn)樵谑謾C(jī)保護(hù)電路中，即要進(jìn)行過(guò)充檢測(cè)也要進(jìn)行過(guò)放檢測(cè)。

該類(lèi)MOSFET內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如下圖虛線(xiàn)內(nèi)所示：

打開(kāi)該類(lèi)MOS的規(guī)格書(shū)我們會(huì)看到許多如下參數(shù)：

那么如何測(cè)試這些參數(shù)呢，下面請(qǐng)看測(cè)試手法！

注意：

下文中加粗字體為變量，需根據(jù)MOS規(guī)格書(shū)來(lái)確定實(shí)際參數(shù)。

1、VSSS耐壓

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VGS=0V，VSS1從0V以0.1V步增，逐漸增加電壓至IS=1mA,且MOS無(wú)損毀，記錄VSS1的電壓。

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VGS=0V，VSS2從0V以0.1V步增，瞬間增加電壓至IS=1mA,且MOS無(wú)損毀，記錄VSS2的電壓。

2、ISSS電流

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VSS=12V，VGS=0V，記錄下ISSS。

3、VGS(th)開(kāi)啟電壓

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VSS=6V，以0.1V同步增加VGS1的電壓，直至ISS=1mA,記錄下此時(shí)VGS1的電壓，同理測(cè)試另一FET的VGS2。

4、IGSS柵極漏電流

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VSS=0V，VGS1=±8V，記錄下IGSS1，同理測(cè)試另一FET的IGSS2。

5、RSS(on)內(nèi)阻

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置IS=6A，分別測(cè)試VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V時(shí)，S1與S2兩端的電壓VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。

6、VFSS二極管導(dǎo)通電壓

按下圖連接測(cè)試電路，設(shè)置VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，記錄下測(cè)試的VFSS1。

同理，設(shè)置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，記錄下測(cè)試的VFSS2。

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