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    KPX8610A廠家直銷 8610A -35A/-100V PDF中文資料文件-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2018-06-01 

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    1.KPX8610Cmos管特征

    RDS (on) = 42m VGS=10V

    100%EAS保證

    兼容RoHS

    超低門電荷

    Cdv/dt效應下降

    先進的高密度槽道技術

    KPX8610A

    2.KPX8610Cmos管描述

    該KPX8610C采用先進的溝道MOSFET技術,提供優(yōu)良的R DS(ON)和其他應用范圍

    KPX8610C可滿足RoHS和Green的需求,適用于許多其它應用。

    KPX8610C產(chǎn)品要求:100%EAS保證,功能可靠。


    3.KPX8610C參數(shù)范圍

    產(chǎn)品型號:KPX8610C

    工作方式:-35A/-100V

    漏源電壓:-1000V

    柵源電壓:±20A

    漏電流連續(xù):-35A

    脈沖漏極電流:100A

    雪崩能量:345mJ

    耗散功率:104W

    熱電阻:62℃/V

    漏源擊穿電壓:-1μA

    柵極閾值電壓:-1.0V

    輸入電容:4060PF

    輸出電容:120PF

    上升時間:50ns

    封裝形式:TO-251、252


    聯(lián)系方式:鄒先生

    聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

    手機:18123972950

    QQ:2880195519

    聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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    KPX8610A

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