MOS管3503 70A30V參數-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進的溝槽...MOS管3503 70A30V參數-特征 RDS（開）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先進的溝槽技術 低門電荷 高電流能力
1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通； 2.電路中D3作...1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通； 2.電路中D3作用為鉗位Q1門源電壓在12V左右，以保護Q1；
DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能（下圖），這些...DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依靠兩個MOSFET來執行開關功能（下圖），這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量開釋給負載。
下面以圖10中電機控制電路來說明米勒效應對MOSFET開通關斷過程的影響。在圖10控...下面以圖10中電機控制電路來說明米勒效應對MOSFET開通關斷過程的影響。在圖10控制電路中，上管導通時，VDD通過Q1、Q4對電機進行勵磁；上管關斷時，電機通過Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指開關瞬態過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指開關瞬態過程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv/dt太大，可能發生振鈴，進而可能導致MOSFET損壞。
dv/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導...dv/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差vBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短...
