KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V,漏極電流305A ,采用先進的MOS技術(shù)制造,...KCX012N09N場效應管漏源擊穿電壓90V,漏極電流305A ,采用先進的MOS技術(shù)制造,極低導通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,提高...
TIP42C是PNP功率晶體管,采用TO-220塑料封裝,材料是SI-NPN,該器件適用于音頻...TIP42C是PNP功率晶體管,采用TO-220塑料封裝,材料是SI-NPN,該器件適用于音頻,功率線性和開關(guān)應用。與TIP42C互補的PNP類型為TIP41C中功率三極管,其廣泛用于信號...
無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸?shù)囊环N技術(shù)。無線電通常使用調(diào)頻或調(diào)幅技術(shù)...無線電通信是利用電磁波進行信息傳輸?shù)囊环N技術(shù)。無線電通常使用調(diào)頻或調(diào)幅技術(shù)將信息轉(zhuǎn)化為電信號,然后通過天線傳輸。 1.調(diào)制:發(fā)射端先將要傳輸?shù)男盘栠M行調(diào)制...
KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V,漏極電流70A ,采用先進的SGT技術(shù)制造,專...KCP3525A場效應管漏源擊穿電壓250V,漏極電流70A ,采用先進的SGT技術(shù)制造,專有新溝槽技術(shù),極低導通電阻RDS(開啟) 18.5mΩ,低柵極電荷減少開關(guān)損耗,提高效率;...
sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件,以及諸如MEMS或者...sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件,以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起,實現(xiàn)一定功能的單個標準封裝件,形成一個系統(tǒng)或...