KCX012N09N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCX012N09N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高...
TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻...TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻，功率線性和開關(guān)應(yīng)用。與TIP42C互補(bǔ)的PNP類型為TIP41C中功率三極管，其廣泛用于信號(hào)...
無線電通信是利用電磁波進(jìn)行信息傳輸?shù)囊环N技術(shù)。無線電通常使用調(diào)頻或調(diào)幅技術(shù)...無線電通信是利用電磁波進(jìn)行信息傳輸?shù)囊环N技術(shù)。無線電通常使用調(diào)頻或調(diào)幅技術(shù)將信息轉(zhuǎn)化為電信號(hào),然后通過天線傳輸。 1.調(diào)制：發(fā)射端先將要傳輸?shù)男盘?hào)進(jìn)行調(diào)制...
KCP3525A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)制造，專...KCP3525A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)制造，專有新溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 18.5mΩ，低柵極電荷減少開關(guān)損耗，提高效率；...
sip封裝是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者...sip封裝是將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或...
快恢復(fù)二極管（FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管...快恢復(fù)二極管（FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中。
