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    032n10n場效應(yīng)管參數(shù),120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管

    信息來源:本站 日期:2025-07-03 

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    032n10n場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

    KCX032N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流120A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,提高效率;符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),100%DVDS測試、100%雪崩測試,確保可靠性和穩(wěn)定性,在電機(jī)控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源(UPS)中廣泛應(yīng)用;封裝形式:TO-263、TOLL-8,散熱良好。

    032n10n場效應(yīng)管參數(shù)

    032n10n場效應(yīng)管參數(shù)

    漏源電壓:100V

    漏極電流:120A

    柵源電壓:±20V

    脈沖漏電流:480A

    單脈沖雪崩能量:800MJ

    功率耗散:215W

    閾值電壓:3V

    總柵極電荷:130nC

    輸入電容:7470PF

    輸出電容:930PF

    反向傳輸電容:50PF

    開通延遲時間:50nS

    關(guān)斷延遲時間:97nS

    上升時間:74ns

    下降時間:30ns

    032n10n場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書

    032n10n場效應(yīng)管參數(shù)

    032n10n場效應(yīng)管參數(shù)


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