KCX012N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCX012N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開(kāi)關(guān)損耗，高...
LLC變換器由4個(gè)模塊組成：電源開(kāi)關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率...LLC變換器由4個(gè)模塊組成：電源開(kāi)關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率開(kāi)關(guān)首先將輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻方波；隨后方波進(jìn)入諧振腔，由諧振腔消除方波的...
PPN電容是CBB13型無(wú)感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱，屬于薄膜電容器的一種，具...PPN電容是CBB13型無(wú)感箔式聚丙烯膜電容的另一種名稱，屬于薄膜電容器的一種，具有高頻損耗小、耐沖擊、溫度穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于高頻、直流、交流及大電流脈...
KCX012N09N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCX012N09N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開(kāi)關(guān)損耗，提高...
TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻...TIP42C是PNP功率晶體管，采用TO-220塑料封裝，材料是SI-NPN，該器件適用于音頻，功率線性和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。與TIP42C互補(bǔ)的PNP類(lèi)型為T(mén)IP41C中功率三極管，其廣泛用于信號(hào)...
無(wú)線電通信是利用電磁波進(jìn)行信息傳輸?shù)囊环N技術(shù)。無(wú)線電通常使用調(diào)頻或調(diào)幅技術(shù)...無(wú)線電通信是利用電磁波進(jìn)行信息傳輸?shù)囊环N技術(shù)。無(wú)線電通常使用調(diào)頻或調(diào)幅技術(shù)將信息轉(zhuǎn)化為電信號(hào),然后通過(guò)天線傳輸。 1.調(diào)制：發(fā)射端先將要傳輸?shù)男盘?hào)進(jìn)行調(diào)制...
