KCP2920A場效應管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新...KCP2920A場效應管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新型溝槽技術，低導通電阻RDS(開啟) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極電荷，最小化開...
通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以...通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以實現降壓功能，也可以實現升壓功能。它由兩個MOS管和兩個二極管組成。
逆變器：通過控制開關器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調制（PWM）波形...逆變器：通過控制開關器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調制（PWM）波形，合成所需頻率和幅值的交流電。其電路復雜度通常高于整流器。
bms專用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟...bms專用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；低跨導、快速切換，高效低耗；10...
為了確保無閂鎖操作，電路會自動感測器件中的最負電壓，并確保N溝道開關源極-基...為了確保無閂鎖操作，電路會自動感測器件中的最負電壓，并確保N溝道開關源極-基板結不存在正向偏置。振蕩器頻率的標稱頻率為10kHz(VCC=5V)，但可以通過向振蕩器（...
為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種...為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這...
